продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L85I6S-A/C (AlGaAs)

лазерный диод L85I6S-A/B/C
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+60 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   30  
Пороговый ток (mA) 5 20 35
Рабочий ток (mA) 40 60 80
Рабочее напряжение (В)   2.0 2.5
Длина волны (nm) 845 850 855
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 7 9 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 25 29 36
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±2
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3
Точность тела свечения ()     ±60


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода