продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L78E6HG-Q (AlGaAs)

лазерный диод L78E6HG-Q
Тип корпуса TO5 (диаметр 9 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+60 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   6  
Пороговый ток (mA) 8 14 24
Рабочий ток (mA)   27 38
Рабочее напряжение (В) 1.5 1.8 2.5
Длина волны (nm) 775 788 800
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 7 9 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 25 31 35
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±2
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)