продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L78C6S-L (AlGaAs)

лазерный диод L78C6S-L
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 25V
Рабочая температура -10...+60 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   3  
Пороговый ток (mA) 9 14 19
Рабочий ток (mA)   20 30
Рабочее напряжение (В)   1.9 2.5
Длина волны (nm) 770 785 795
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 8 10 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 25 29 32
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±2
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3
Точность тела свечения ()     ±80


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)