продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L65O7S-D/E (InGaAlP)

лазерный диод L65O7S-D/E
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Рабочая температура -10...+75 °C
Температура хранения -40...+80 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   100  
Пороговый ток (mA)   75 100
Рабочий ток (mA)   180 200
Рабочее напряжение (В) 2.0 2.5 3
Длина волны (nm) 654 660 666
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 7 9 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 15 18 21
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±3
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)