продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L65J5S-A/B/C (InGaAlP)

лазерный диод L65J5S-A/B/C
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+50 °C
Температура хранения -40...+80 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   50  
Пороговый ток (mA)   35 60
Рабочий ток (mA)   85 120
Рабочее напряжение (В)   2.4 3
Длина волны (nm) 650 658 665
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 6 10 14
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 16 21 26
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±3
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3
Точность тела свечения ()     ±60


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)