продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L65I7S-A/B/C (InGaAlP)

лазерный диод L65I7S-A/B/C
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+70 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   30  
Пороговый ток (mA)   45 70
Рабочий ток (mA)   80 120
Рабочее напряжение (В)   2.7 3
Длина волны (nm)   658 666
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 7 9.5 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 15 23 28
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±1.5


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)