продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L65D5S-A/B/C-N (InGaAlP)

лазерный диод L65D5S-A/B/C-N
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+50 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   5  
Пороговый ток (mA)   21 30
Рабочий ток (mA)   28 35
Рабочее напряжение (В)   2.2 2.6
Длина волны (nm) 650 655 660
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 6 8 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 22 32 38
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±3.0
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3.0
Точность тела свечения ()     ±60


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)