продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L63K4S-A/B/C-L (InGaAlP)

лазерный диод L63K4S-A/B/C-L
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+40 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   45  
Рабочий ток (mA)   105  
Рабочее напряжение (В)   2.4 2.7
Длина волны (nm) 633 640 645
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 7 11 15
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 22 28 33
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±2.0
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3.0
Точность тела свечения ()     ±60


Конфигурация выводов

принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)