продукция  
 
 
Лазерные диоды


 
 
Лазерный диод L63D4S-A/B/C (InGaAlP)

лазерный диод L63D4S-A/B/C
Тип корпуса TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение 2V
Обратное напряжение фотодиода 30V
Рабочая температура -10...+40 °C
Температура хранения -40...+85 °C
 

Характеристики диода (при T=25°C)
Параметр мин. тип. макс.
Мощность светоотдачи (mW)   5  
Пороговый ток (mA)   23 35
Рабочий ток (mA)   32 45
Рабочее напряжение (В)   2.2 2.7
Длина волны (nm) 630 637 640
Параллельная расходимость FWHM (градусов) 6 8 12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов) 28 34 40
Параллельная ширина спектра (градусов)     ±2
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)     ±3
Точность тела свечения ()     ±60


Конфигурация выводов
принципиальная схема выводов лазерного диода


Чертеж корпуса лазерного диода

чертеж лазерного диода

 

скачать документацию
(pdf, англ.яз)